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会议论文
新型聚光太阳能电池组件研究
新型聚光太阳能电池组件研究
来源 :中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:love43524
【摘 要】
:
本文采用三维优化设计对太阳进行一维跟踪的聚光太阳电池组件,提高聚光太阳能电池对入射光线的指向容差.以PMMA为材料,采用边缘光线原理设计和加工完成带有线聚焦菲涅尔聚光
【作 者】
:
汪韬
赛小锋
李晓婷
高鸿楷
【机 构】
:
中国科学院西安光学精密机械研究所(西安)
【出 处】
:
中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
:
2003年期
【关键词】
:
太阳电池组件
聚光太阳能电池
指向容差
原理设计
优化设计
入射光线
测试分析
线聚焦
一维
系统
特性
三维
棱镜
加工
材料
边缘
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本文采用三维优化设计对太阳进行一维跟踪的聚光太阳电池组件,提高聚光太阳能电池对入射光线的指向容差.以PMMA为材料,采用边缘光线原理设计和加工完成带有线聚焦菲涅尔聚光棱镜.电池采用自行研制的MOCVD系统生长的GaAs/Ge太阳能电池.并对聚光太阳电池组件的特性进行测试分析.
其他文献
940nm微腔发光二极管(MCLED)
采用LP-MOCVD方法制作了940nm微腔发光二级管材料,针对不同的器件使用要求,设计了相应的材料结构,对微腔发光二级管的特性进行了讨论.初步的实验结果为:外量子效率达到12.5﹪(
会议
发光二级管
外量子效率
正向电压
使用要求
环氧树脂
材料结构
管材料
制作
特性
实验
设计
器件
封装
方法
对微
用溶胶-凝胶方法制备Tb<'3+>:Y<,2>SiO<,5>发光薄膜
TB:YSiO是一种商业化的绿色阴极射线发光材料.作者选用有机硅试剂γ-缩水甘油丙基醚三甲氧基硅烷来替代正硅酸乙酯(TEOS),利用溶胶-凝胶法制备该薄膜发光材料.
会议
溶胶
凝胶
法制
阴极射线发光材料
三甲氧基硅烷
正硅酸乙酯
有机硅试剂
缩水甘油
商业化
绿色
薄膜
丙基
一类分数阶线性控制系统的外部稳定性分析
根据Lyapunov稳定性理论及对整数阶控制系统稳定性的分析,对一类分数阶线性控制系统进行外部稳定性分析.给出了由分数阶状态空间表达式所描述的分数阶控制系统的外部稳定性定
会议
分数阶微积分
分数阶控制系统
分数阶状态空间表达式
外部稳定性
线性控制系统
基于小波域HMT的航空侦察图像去噪方法
传统的小波域图像去噪方法假定各尺度间的小波系数是无关的,而实际图像的小波系数间具有显著的相关性.鉴于这种相关性,提出采用基于小波域隐马尔可夫树(HMT)的方法对航空侦察
会议
小波域隐马尔可夫树
航空侦察图像
小波系数
去噪方法
相关性
实际图像
仿真结果
性能
经典
尺度
(lll)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效
会议
衬底
外延
表面形貌
非线性效应
阈值电流
生长工艺
量子限制
压电场
多重子
器具
激光
应用近场光学技术研究在GaInP外延层上的InP自组装结构
应用MOCVD技术在GaInP外延层上制备了InP自组装结构;并用近场光学成像技术对外延层表面及InP自组装结构进行了研究.
会议
应用
近场光学技术
外延层
组装结构
光学成像技术
表面
InGaAs材料的光致发光研究
本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的InGaAs材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH与PH转换时间)对InGaAs的光致发光谱形状和半
会议
材料
变温光致发光谱
缓冲层厚度
转换时间
生长温度
生长条件
激发强度
光谱峰值
外延层
半峰宽
旋转
形状
石墨
匹配
技术
基座
高势垒掩埋的垂直堆垛InAs量子点的独特性质
在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs
会议
掩埋
垂直堆垛
量子点
原子力显微镜
瞬态光谱
生长方式
表征
表面形貌
深能级
发光
应用MOCVD方法以GaAlAs材料制备的一维光子晶体来获得窄光谱
对光在有缺陷的一维光子晶体中的传播进行了研究.并制备了以GaAlAs/AlAs为结构单元的一维光子晶体.由于一维光子晶体的周期性被打破,使得光子晶体的能态密度(DOM)发生改变,导
会议
应用
计算方法
材料制备
一维光子晶体
能态密度
晶体结构
光的传播
结构单元
计算模拟
传播模式
传播矩阵
周期性
缺陷
宽度
发光
Polymer/Si AWG器件材料光学性质的准确测量
本文使用WVASE32型椭偏仪,主要针对Si基单层有机薄膜的测量方法进行分析;对PMMA材料和氟化聚酯材料进行测量,根据测量结果对AWG器件进行了设计;同时探讨了对多层有机薄膜及氟
会议
器件
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光学性质
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测量结果
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