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本实验采用气态源分子束外延技术，在GaAs衬底上通过生长In组分渐变的缓冲层，制备了截止波长为2.53μm的探测器结构材料。作为比较，在相同条件下也在InP衬底上制备了相同结构的探测器结构材料。X射线衍射分析表明，与InP衬底上材料相比，GaAs衬底上的材料具有同样高的弛豫度和小的剩余应力，但是其材料结晶质量较差并且表面粗糙度较高，与此同时，GaAs衬底上的BaGao.LEAS材料室温下的光致荧光谱较之InP衬底上的弱了一个数量级。