【摘 要】
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SnO2 材料的半导体复合,可以更加有效地实现光生电子空穴的分离,以获得更好的光电转换效率.前期实验发现通过阳极氧化法在不锈钢表面形成纳米孔结构,不仅有利于SnO2薄膜
【机 构】
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钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室,武汉科技大学,湖北武汉,430081
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SnO2 材料的半导体复合,可以更加有效地实现光生电子空穴的分离,以获得更好的光电转换效率.前期实验发现通过阳极氧化法在不锈钢表面形成纳米孔结构,不仅有利于SnO2薄膜的固定,而且所得Fe2O3 纳米结构容易与SnO2形成Fe2O3/SnO2 复合结构.本文在220℃下采用水热法在不锈钢纳米孔结构中负载SnO2,并将所得薄膜进行退火处理,利用光催化实验和光电流实验来对比退火处理前后样品的光催化性能和光电化学性能,发现退火处理对阳极氧化不锈钢表面SnO2薄膜性能有明显影响.用亚甲基蓝溶液作为目标物在紫外光下来考察薄膜的光催化性能,退火处理后的SnO2薄膜光催化降解率最大达到82.2％.通过光电流i-t 曲线分析,退火后Fe2O3/SnO2复合结构薄膜是退火前的薄膜光电流的6倍,表明退火处理有利于Fe2O3/SnO2复合结构的形成,这层薄膜有利于光生载流子的传导和电子空穴对的分离,提高了样品的光电化学和光催化性能.同时半导体氧化物结晶度更好,使不锈钢光催化活性得到进一步提高.
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