【摘 要】
：
稀土铕硅酸盐薄膜具有优良的光学性质，可望用于制作发光器件.我们之前的实验发现，通过溶胶-凝胶以及旋涂工艺制备的硅基铕硅酸盐薄膜在氩气气氛下退火之后表现出最优的发光
【机 构】
：
北京师范大学分析测试中心,北京100875电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;中科院半导体所集成光电国家重点联合实验室,北京100083;电子科技大学中山学院,广东中山
【出 处】
：
第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
论文部分内容阅读
稀土铕硅酸盐薄膜具有优良的光学性质，可望用于制作发光器件.我们之前的实验发现，通过溶胶-凝胶以及旋涂工艺制备的硅基铕硅酸盐薄膜在氩气气氛下退火之后表现出最优的发光特性.然而，后续研究表明，直接在单晶硅片表面生成的硅酸铕薄膜在后续的高温结晶退火过程中发生了严重的互扩散行为，影响了硅酸铕薄膜发光效率的进一步提高.在本文中，我们一方面通过在硅酸铕薄膜中加入Y3+离子来调节Eu3+的比例，实现最优的Eu3+掺杂浓度硅酸铕薄膜.首先选取纯度为99.99％的EuCl36H2O、99.99％的YCl36H2O和优级纯乙酰丙酮，分别按照摩尔比1∶3的比例混合，加入适量的优级纯无水乙醇，直至生成深黄色溶液，从而分别得到[Eu3+]和[Y3+]摩尔浓度为0.5M的乙酰丙酮铕和乙酰丙酮钇的乙醇溶液；同时，利用正硅酸乙酯、无水乙醇、去离子水和稀硝酸混合，在60℃下回流水解4小时，得到摩尔浓度为1.0M的SiO2溶胶.将上述两类溶液混合制得不同Eu3+离子含量的溶胶.在此基础上，利用旋涂工艺在硅衬底上制备不同Eu3+离子含量的硅酸铕发光薄膜.
其他文献
高效率硅材料电致发光器件的突破性进展将对于光电集成、光互联的发展将产生重大的影响。由于硅为间接带半导体材料，发光波长单一，效率低，一直无法在硅芯片上集成高效率的硅
本文采用超声合成法,以不同种类的表面活性剂作为模板剂,制备了一系列的Y2O3：Eu3+纳米晶.通过调节超声输出功率、反应时间、PEG的分子量(PEG-2000,PEG-4000,PEG-10000)、
Recently, tripositive rare-earth (RE3+) ions doped upconverting fluoride nanocrystals (NCs) have become an increasingly research topic and opened up the opp
以Y2O3、Er2O3、Yb2O3和不同氟源(NaBF4、NaF和NH4F)为原料,利用PEG-2000辅助的水热法合成出不同形貌的YF3：Yb3+,Er3+纳米上转换发光材料,考察了不同反应时间和不同氟源对
我们研究了掺铒的纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Er(3)：FOV的红外量子剪裁现象,我们测量了红外和可见的Er(3)：FOV的荧光发光光谱和激发光谱.透彻计算了可见和红外的荧光发光光谱的
近红外光具有穿透深度大、强度高、被吸收光强小等特殊性能,在光纤通讯、激光源、生物传感器和荧光免疫分析等领域有着广泛的应用。近年来,发射波长位于1000 nm附近的近
稀土离子吸收一个光子后,会发射出两个或多个能量较低的光子,这样的过程称作量子剪裁.当激发Gd3+的6GJ能级后,Gd3+会通过两步能量传递,把激发能量传递给Eu3+,实现量子剪
近年来,1550nm波段的激光由于其对人眼安全及在光通讯方面的应用而受到人们的广泛关注.对Nd3+：Li6Y(BO3)3晶体的研究表明,由于(BO3)3-共价键的存在使其具有较弱的浓度猝灭
The near-infrared (NIR) quantum cutting(QC) phosphors of Yb3+ doped CaMoO4(CM) with charge compensation were synthesized by sol-gel methods.Two approaches t
白光LED是一种新型固态照明电光源,而荧光粉在白光LED中占有重要的地位.目前广泛使用的是蓝光LED和发黄光的YAG：Ce荧光粉组成的白光LED.然而由于在红光区域的缺陷,这种白