【摘 要】
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透明导电氧化铟锡(ITO)薄膜可应用于nip 硅基薄膜太阳电池前电极(顶电极),低温制备ITO 薄膜对于nip 太阳电池尤其重要.但是,低温制备的ITO 薄膜光学透过和电学性能并不理想.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所所 薄膜器件与技术天津市重点实验室室 光电信息技术科学教育部重点实验室室,天津 300071 300071 河北工业大学 信息工程学院天津 300130
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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透明导电氧化铟锡(ITO)薄膜可应用于nip 硅基薄膜太阳电池前电极(顶电极),低温制备ITO 薄膜对于nip 太阳电池尤其重要.但是,低温制备的ITO 薄膜光学透过和电学性能并不理想.本文使用热蒸发方法研究低温制备ITO 的光学透过和电学性能,采用加热氧气的方法,可以改善低温制备的ITO 薄膜的透过性能.在衬底温度为175℃,反应压强为0.26Pa 时,生长获得的厚度80nm-ITO 薄膜,其可见光(光谱380nm-780nm)平均透过率从83.1％(氧气不加热)增加到84.3％(氧气为加热).
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