【摘 要】
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为了研究沉积功率、压强在甚高频等离子体化学气相沉积沉积(VHE-PECVD)微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中对沉积速率和薄膜性质的影响,采用Chemkin-pro中的AUROR模块,对气相反应和
【机 构】
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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南 郑州 450052
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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为了研究沉积功率、压强在甚高频等离子体化学气相沉积沉积(VHE-PECVD)微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中对沉积速率和薄膜性质的影响,采用Chemkin-pro中的AUROR模块,对气相反应和表面生长过程进行了数值模拟.模拟过程涉及42个气相反应和43个表面反应,同时利用光发射谱(OES)对实验过程中等离子辉光进行检测.模拟的SiH3、H的相对含量和比值,以及表面生长速率,晶化率等和实验结果进行了对比,能够较好的吻合.
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