利用微弧氧化技術產生弱工作區於鎂合金上鍍製氧化鋯膜之研究

来源 :2016年台湾陶瓷学会年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq854513342
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  本論文利用雙極式微弧氧化技術(Plasma Electrolyte Oxidation,PEO)鍍製氧化鋯厚膜於AZ91D 鎂合金上。利用電解液中添加奈米等級之氧化鋯顆粒,並依適當比例添加進電解液中,同時配合定電流模式調整正電流觀察電壓-時間走向,發現電壓會突然急速下降,就是所謂弱工作區(Soft regime)效應。當此現象產生時即可增加膜層結合性與緻密性,由電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM)之表面形貌與斷面觀察,可得知有無發生Soft regime 現象影響相當大,牽涉電源供應膜式以及鍍膜形成機制。目前研究結果顯示:首先電解液添加能確立膜層中相結構含有訊號鋒強的MgO、t-ZrO2、c-ZrO2 和Mg2Zr5O12;再者,調整正負電流大小與比例,其結果明顯從膜層斷面圖發現緻密氧化膜產生,並且於工作時間45 分鐘鍍製出近140 μm氧化鋯膜。
其他文献
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Calcium phosphate cement(CPC)considered to be self-setting at room temperature and form hydroxyapatite(HAP)as the end-product.Calcium sulfate hemihydrates have short setting time and good handling pro
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会议
本研究利用放置銅與鈦金屬片於鉭靶材上,透過改變靶材上之金屬片面積比例來進行單靶磁控共濺鍍製備鉭鈦銅三元金屬玻璃薄膜;並探討固定銅面積改變鉭與鈦的面積對金屬玻璃薄膜的性質影響.所製作的金屬玻璃薄膜之XRD 圖譜中皆有寬廣繞射峰.由縱剖面SEM 圖沒有觀察到有柱狀晶結構的產生,薄膜厚度約在450 nm.薄膜硬度、楊氏係數皆隨著鉭元素含量上升而下降,硬度從13.18 降至11.86 Gpa,楊氏係數由1
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我們量測多晶態鑭鍶錳氧(LSMO)300 K 到380 K 的溫度範圍內電阻率與複數磁導率的特性.樣品的電阻率很小,僅為數mΩ·cm,電阻率隨著溫度增加,在362 K 附近顯示金屬到半導體的相轉變.量測到的磁譜顯現鬆弛特性,且色散情況非常明顯.隨著溫度升高,磁導率增加,在居禮溫度TC ≈ 362 K 附近到達最大值,當溫度升到TC以上,磁導率隨溫度減少且色散行為減弱.共振頻率fr 在300 K 到