GaN薄膜的温变反射谱研究

来源 :第十七届全国凝聚态光学性质会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yanzi774

【摘要】

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作为一类宽禁带半导体,GaN系材料(包括InGaN、AlGaN、AllnGaN)被誉为第三代半导体材料,是微电子、光电子领域重要的半导体材料.而生长温度、生长速率及元素组分的在线精确标

【作者】

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陈飞良王少伟陈效双陆卫

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室200083

【出处】

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第十七届全国凝聚态光学性质会议

【发表日期】

：

2014年7期

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作为一类宽禁带半导体,GaN系材料(包括InGaN、AlGaN、AllnGaN)被誉为第三代半导体材料,是微电子、光电子领域重要的半导体材料.而生长温度、生长速率及元素组分的在线精确标定对GaN系列材料的生长过程及质量监控有着重要意义[1,2].如何有效地在线监控材料自身的实际生长温度(而非周围环境中的温度)以及组分含量是一个困难的问题. 虽然利用光学手段检测薄膜生长速率或厚度已经得到了广泛的应用[2,3],但利用其检测生长温度及组分这两个对材料性能影响更大的因素则研究的较少.

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