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本文首先对CMOS带隙基准源的基本原理进行了分析，并针对三极管中VBE电流随温度变化的二阶非线性效应提出了一种对PTAT电流进行补偿的方法。在SMICO.35μmCMOS工艺库的基础上实现了一个高精度的带隙基准源。仿真结果表明，在-40~140℃的温度系数为8.5ppm/℃，低频电源抑制比为-58dB。