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本文提出了一种新型的基于双极型工艺的低压差线性稳压器(LDO)结构，包括电压基准技术，误差放大器，NPN达林顿调整管，JFET启动技术等。与传统齐纳管，电阻构成的电压基准相比，该芯片具有较高的线性调整率和负载调整率。
通过采用NPN达林顿管作为调整元件，本芯片能提供高达400mA的输出电流，同时具有高达50dB的PSRR。