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通过对铬硅薄膜电阻变化机理的研究，分析了可能影响薄膜电阻跟踪特性的几个因素：光刻方式、退火处理温度和时间以及激光修调等，最终研制出跟踪特性良好的铬硅薄膜电阻。
铬硅薄膜电阻跟踪特性研究
【摘 要】
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通过对铬硅薄膜电阻变化机理的研究，分析了可能影响薄膜电阻跟踪特性的几个因素：光刻方式、退火处理温度和时间以及激光修调等，最终研制出跟踪特性良好的铬硅薄膜电阻。
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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