4H-SiC MESFET自热效应新模型

• 作 者: 曾全君 张义门 张玉明 郭辉
• 机 构: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学 微电子研究所,西安 710071
• 出 处: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: MESFET 4H-SiC 自热效应 解析模型 电子迁移率 不完全离化 物理模型 器件

　　结合漏电流的解析模型和适用CAD工具准解析模型，提出了一种新型4H-SiCMESFET自热效应物理模型。模型包括4H-SiC低场电子迁移率和杂质不完全离化随温度的变化的一种CAD建模方式，适用于4H-SiC MESFET电路设计时评估器件的自热效应。提出的模型与包含自热效应的器件测试值进行比较，模拟结果和测试结果符合良好，模型的有效性得到了验证。