【摘 要】
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由于具有禁带宽度连续可调的性质,Cd1-xZnxTe 薄膜有望成为制备叠层太阳电池顶电池的理想材料.CdCl2 源退火处理是CdTe 薄膜太阳电池制备过程中重要的环节,本文采用真空蒸发
【机 构】
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四川大学 材料科学与工程学院,四川 成都 610064
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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由于具有禁带宽度连续可调的性质,Cd1-xZnxTe 薄膜有望成为制备叠层太阳电池顶电池的理想材料.CdCl2 源退火处理是CdTe 薄膜太阳电池制备过程中重要的环节,本文采用真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe 薄膜,用CdCl2 源进行退火处理,探究CdCl2 源退火对其光学性质的影响.对样品进行了XRD 和紫外-可见光透过谱等测试和分析,发现CdCl2 源退火对Cd1-xZnxTe 薄膜的组份影响较大,且会降低其透过率,改变其光学禁带宽度.
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