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氧化锌(ZnO)是直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，因其有3.37 eV的宽带隙和高达60meV的激子束缚能，在紫外发光器件、低阈值激光器件和紫外探测器件等方面具有广泛的应用前景.而p型掺杂是实现ZnO基高效光电器件应用的必备条件.锂和氮由于其与锌和氧相匹配的原子半径以及相对较浅的受主能级，一直被认为是最有希望的受主掺杂源.在这里我们利用等离子体辅助分子束外延技术，通过锂氮双受主掺杂的方法，在蓝宝石衬底上面制备了P型锂氮共掺氧化锌薄膜，其空穴浓度为1.29 × 1016 cm一，迁移率为0.434 cm2/(V·s).该薄膜的低温发光光谱由施主受主对(DAP)发光占主导，通过DAP峰位我们可以估算出受主能级位置大概在价带以上180meV.