【摘 要】
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为了推迟下一代光刻技术的发展,延长光学光刻技术的寿命就变成了半导体工业研究的主要课题,特别是针对低于100nm节点的图形.文中对S偏振光和P偏振光在硅片上的成像进行了研究
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为了推迟下一代光刻技术的发展,延长光学光刻技术的寿命就变成了半导体工业研究的主要课题,特别是针对低于100nm节点的图形.文中对S偏振光和P偏振光在硅片上的成像进行了研究,结果显示,在S偏振光、P偏振光和非偏振光成像中,S偏振光的成像对比度最大;同时对S偏振光通过掩模的电场分布机理进行了模拟.最后得到在高数值孔径的投影光刻系统中,可以通过调制照明光的偏振性来提高成像对比度和分辨率.
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