【摘 要】
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载流子注入与传输机制是决定有机电致发光器件性能的重要因素,材料迁移率的测定是研究有机半导体材料传输特性的一种重要方法.我们采用真空蒸镀的方法制备了以双(2-甲基-
【机 构】
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中科院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,吉林长春130022
【出 处】
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第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议
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载流子注入与传输机制是决定有机电致发光器件性能的重要因素,材料迁移率的测定是研究有机半导体材料传输特性的一种重要方法.我们采用真空蒸镀的方法制备了以双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(Ⅲ) (BAlq)为功能层的单电子器件并考察了器件的电流-电压(J-V)特性曲线与有机层厚度以及温度的关系.我们发现在不同厚度和温度下器件的J-V曲线均表现出陷阱电荷限制电流的特性,说明材料禁带能隙内存在呈幂指数形式分布的陷阱,用数值拟合的方法计算出材料的电子迁移率μ=(4.3±3.4)×10-5 cm2/V·s,陷阱密度Nt=(1.1±0.2)×1019 cm-3,陷阱特征能量为Et=136 meV.
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