NPB中穿插MgF2超薄层对有机电致发光器件性能的影响

来源 :第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuefeng96ew
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  本文将MgF2超薄层引入有机电致发光器件的空穴传输层NPB之中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列有机电致发光器件.测试结果表明:合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率.本文中MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未穿插MgF2器件降低2V; MgF2厚度1.0hm的器件最大电流效率达到2.91cd/A,最大光功率效率达到1.77 lm/W,较未穿插MgF2器件分别提高了43%和173%.分别是未穿插MgF2器件的1.43倍和2.73倍.
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