【摘 要】
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多层InGaN量子点作为有源区是解决绿光发光二极管(LED)量子效率低的有效手段，而GaN盖层对于多层InGaN量子点的外延生长有非常重要的影响，目前针对InGaN/GaN量子点结构中的G
【机 构】
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清华信息科学与技术国家实验室(筹)/ 集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系,北京 100084
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多层InGaN量子点作为有源区是解决绿光发光二极管(LED)量子效率低的有效手段，而GaN盖层对于多层InGaN量子点的外延生长有非常重要的影响，目前针对InGaN/GaN量子点结构中的GaN盖层生长条件研究较少。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长有GaN盖层的InGaN量子点，研究不同外延生长条件下的GaN盖层表面形貌和光学性质。
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