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本文提出一种内部集成了ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件。在对电流采样原理分析的基础上，提出了一种适用于功率器件过流保护的电路结构；利用反串联多晶二极管实现对VDMOS器件的ESD保护。通过二维数值模拟确定了器件及电路参数，仿真结构表明，上述结构能够实现对VDMOS器件的有效保护，大大提高了VDMOS在系统应用中的可靠性。