200mm图形片薄层硅外延工艺研究

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pupuaw

【摘要】

：

　　200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法

【作者】

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Yuan Zhaogeng 袁肇耿 Zhang Hua 张华 Zhao Lixia 赵丽霞

【机构】

：

HebeiPoshingElectronicTechnologyCo.,Ltd.,Shijiazhuang050051,China河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄050051

【出处】

：

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

【发表日期】

：

2011年8期

【关键词】

：

微电子行业硅材料外延工艺图形漂移畸变量

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　　200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法，达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％，图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品，实现国产化.

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