EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应

• 作 者: 金晓明[1]范如玉[1]陈伟[2]杨善潮[2]林东生[2]
• 机 构: 清华大学,工程物理系,北京,100084
• 出 处: 第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会
• 发表日期: 2010年期

本文建立了商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统,利用60Co源在20rad(Si)/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值,得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律,从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理,对抗辐射加固设计有重要意义。