1.6-V,24ppm/℃,宽温度范围CMOS带隙基准源电路

• 作 者: 马建斌 计峰 金湘亮 陈杰
• 机 构: 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
• 出 处: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 宽温度范围 基准电路 电源电压 带隙基准 图象传感器 电源抑制比 温度系数 低输出 工艺制造 电路原理 参考电压 低功耗 应用 频率 路基 结构 标准

本文提出了一种与电源电压和温度无关的低输出带隙基准电路原理及结构.该电路基于0.18μm标准CMOS工艺制造,工作电源电压在1.6V至2.8V的变化范围内,能获得853mv的输出参考电压,在-20℃到120℃的温度范围内温度系数为24ppm/℃,在低于10kHz的频率下其电源抑制比为-66dB.该带隙基准电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器中.