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利用μ-PCD(微波光电导)少子寿命测试仪对铸锭多晶硅底部区域20～35 mm的少子寿命进行研究。结果显示：对于初生硅块，硅块底部存在35 mm的红边区(少子寿命<2μs)，通过650℃退火30 min，硅块底部的红边区减少至20 mm。多晶硅底部20～35 mm区域初生硅片的少子寿命在O.8～1.4μs之间，通过650℃退火30 min，少子寿命增加至1-5～1.7μs。底部区域少子寿命偏低的原因与表面的复合速率有着直接的关系，与硅片的真实体少子寿命无关。后续电池片的数据表明，该区域的电池效率和光衰减均在合格标准内，完全可以用于生产。