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实现高效多晶硅电池的物理机理就是减少复合损失、欧姆损失和光学损失。为了减少对于多晶硅电池效率影响巨大的光学损失,我们从硅片制绒这一步入手,用低成本的化学腐蚀法,通过分光光度计、光学显微镜和扫描电子显微镜表征,分析了反应温度、反应时间和溶液配比等对最终腐蚀结果的影响。并且,通过优化上述参数,得到3 cm×3 cm多晶硅绒面的最佳实验结果,在300~800 nrn波长范围内的加权反射率为7.3%,最低值为6.3%,扫描电镜(SEM)下表面织构均匀。反射率的降低,将提高电流强度,从而减少了电池的效率损失。