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采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响，从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程，得到最佳的镀膜工艺。
晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究
【摘 要】
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采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜
【机 构】
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北京交通大学太阳能研究所,北京 100044 北京中联科伟达技术股份有限公司,北京 100044
【出 处】
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第十一届中国光伏大会暨展览会
【发表日期】
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2010年期
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