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采用拉曼散射实现硅基激光器是实现硅基激光器的有效方法之一。详细介绍了硅基拉曼激光器工作原理，波导结构，并介绍了已经实现的脉冲和连续波拉曼激光器的结构和工作性能。
硅基拉曼激光器
【摘 要】
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采用拉曼散射实现硅基激光器是实现硅基激光器的有效方法之一。详细介绍了硅基拉曼激光器工作原理，波导结构，并介绍了已经实现的脉冲和连续波拉曼激光器的结构和工作性能。
【机 构】
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天津大学 电信学院,天津 300072 天津工业大学 信息与通信工程学院,天津 300160 天津
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
其他文献
介绍了一种高压大功率微波PIN管用N型硅外延材料的制作工艺，即在常压外延设备上，采取特殊的工艺控制，在电阻率<0.002Ω·cm的N型衬底上实现了200um厚层超高阻外延生长。
在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD)，得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量。测量表明，生长的4H-SiC外延层有很好的晶体结构和光滑的晶面，外延层表面无微管缺陷。生长速率为5μm/h，厚度均匀性为1％，无意掺杂浓度为n型
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其厚度的均匀度都≤2％。
介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ωcm，厚度大于60μm。该工艺技术已经应用到硅外延片生产中，结果表明：外延片能够满足先进器件制作的需要。
介绍了在原有多晶硅平坦技术之上，采用新工艺利用现有的外延、精密减薄工艺，增加了两道工艺流程设置，使得多晶硅平坦化后，多晶硅表面平整度提高，同时为后工艺加工提供了有利保障。
采用Trim软件和C++程序，仿真研究了n型4H-SiC质子辐照的位移效应，并建立了简单准确的解析模型。仿真结果表明，经过大剂量的高能质子辐照后，4H-SiC材料都出现载流子去除效应，迁移率下降，从而导致的电导率下降。研究表明，4H-SiC材料都具有很强的抗质子辐照能力，为4H-SiC在空间环境中的应用提供理论支持。
提出了一种用于MEMS的硅基碳化硅微通道(阵列)及其制备方法，它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相沉积方法制备碳化硅。首先在硅衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版，然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它
提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料，在大气环境下，采用光学MEMS动态分析设备，成功测量了不同尺寸谐振器的工作情况，器件的谐振频率最高达到了255.5kHz，器件的品质因子(Q值)为464。
探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性，保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。
采用直拉法生长普通和掺氦硅单晶，研究两种晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从两种晶体相同位置取样，并对晶体进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明，随着掺氮浓度的增加晶体中氧化诱生县错环(OSF-ring)向样片中心处移动，同时宽度变大。这说明，氮的掺入促进了满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成，使OSF形核区变大。