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在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD)，得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量。测量表明，生长的4H-SiC外延层有很好的晶体结构和光滑的晶面，外延层表面无微管缺陷。生长速率为5μm/h，厚度均匀性为1％，无意掺杂浓度为n型1x1015cm-3。