【摘 要】
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采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明，当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时，SiO2由具有低势垒的绝缘体，转变成Mott-Like缺陷导体，由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。
【机 构】
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北京大学 微电子研究院,北京 100871
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明，当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时，SiO2由具有低势垒的绝缘体，转变成Mott-Like缺陷导体，由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。
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