石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的深能级瞬态谱

• 作 者: 江海波 黎兵 肖心举 冯良桓 郑家贵 张静全 李卫 武莉莉 曾广根
• 机 构: 四川大学材料科学与工程学院,成都 610064
• 出 处: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: 石墨 背接触 CdS CdTe薄膜 太阳电池 深能级中心 深中心 深能级杂质 杂质分布 能级位置 俘获截面 谱技术 硫化镉 扩散相 制备 瞬态 浓度

在CdS/CdTe 太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技术研究了石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的杂质分布和部分深能级中心.从IDLTS 得到了一个能级位置为Ec-0.194eV 的深中心,其俘获截面为1.37×10-15cm2,浓度为1.57E16cm-3,并对该深中心的产生进行了探讨,与石墨背接触或硫化镉的扩散相关.