【摘 要】
：
在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-G
【机 构】
：
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071
【出 处】
：
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
论文部分内容阅读
在Mo/玻璃衬底上顺序电沉积得到Cu-In-Ga 金属预制层进行硒化处理时,发现在硒化前进行无硒热处理,可以明显改善硒化后的薄膜结合力.本文研究了硒化前不同热处理温度对Cu-In-Ga 金属预置层以及硒化后Cu(In1-x,Gax)Se2 薄膜的影响,通过XRD、SEM对薄膜结构与形貌进行表征和分析发现,金属预制层在热退火过程中合金化,使得硒化处理时Cu、In、Ga、Se 的反应路径发生变化,从而增强了薄膜的结合力.对硒化后的CIGS 薄膜进行了电池制备,电池最高效率达到了8.9％.
其他文献
采用真空电子束蒸发法制备TiO2/SiO2 双层减反射膜,实现宽波段范围内的低反射率,以满足砷化镓三结太阳电池对入射光的需求.主要研究了基片温度、电子束流和充氧量对TiO2、SiO
本实验采用射频磁控溅射法在室温的条件下在玻璃衬底上制备了CdTe/ZnTe 多层薄膜,研究了沉积功率对CdTe/ZnTe 多层薄膜性质的影响.利用X 射线衍射(XRD)、紫外—可见光分光光
利用磁控溅射法在室温、Ar 气氛下,制备了相同周期不同亚层厚度的CdTe/ZnTe 多层薄膜,对样品进行了SEM、XRD、透过谱等性能测试.SEM 结果表明所制备的CdTe/ZnTe 多层薄膜的各
Vertically aligned single-walled carbon nanotubes (VASWCNTs) have been successfully transferred ontotransparent conducting oxide glass and implemented as effici