CMOS SOI SRAM电路的抗单粒子能力研究

• 作 者: 赵凯[1]高见头[1]杨波[1]李宁[1]于芳[1]刘忠立[1]肖志强[2]洪根深[2]
• 机 构: 中国科学院半导体研究所 北京 100083 传感器技术国家重点实验室
• 出 处: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
• 发表日期: 2009年期

单粒子事件成为影响航天器的在轨寿命和可靠性的重要因素，提高SRAM的抗单粒子能力，正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一.商用体硅SRAM的抗SEU水平相对较低，难以满足单粒子加固的要求。采用SOI技术，能够将SRAM产品的抗单粒子性能提高2～5倍。文中比较了国外SOI基SRAM芯片及IBM Power PC750芯片的抗单粒子辐射试验结果。同时，给出自主研制的国产128K SOI SRAM的抗单粒子辐射试验结果，其翻转LET阈值大于61.8MeV/(mg/cm2)。采用SOI加固工艺制造SRAM等关键元器件。正成为提高芯片抗单粒子辐射能力的一条重要途径。