论文部分内容阅读
Effects of electrode structures on the electrical properties of amorphous ZnO thin film transistor
【机 构】
：
Electronic Materials Center,Korea Institute of Science and Technology,Seoul 136-791,Republic of Kore
【出 处】
：
第六届国际氧化锌及相关材料研讨会
【发表日期】
：
2010年4期
其他文献
Enhancement of electrical properties in ZnO thin film transistors fabricated by radio frequency magn
会议
Fully transparent thin film transistor based on Y2O3/In2O3 with isovalent cations and favorable cond
会议