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ZnO-based thin-film transistors fabricated by MOCVD

来源 :第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caohuyue

【作 者】

：

Wang Zhao Zhifeng Shi Long Zhao Guotong Du 

【机 构】

：

College of Electronic Science and Engineering,State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,JiL

【出 处】

：

第六届国际氧化锌及相关材料研讨会

【发表日期】

：

2010年4期

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