GaN基p-i-n紫外探测器

• 作 者: 李雪;亢勇;徐运华;李向阳;龚海梅;方家熊;
• 机 构: 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
• 出 处: 中国光学学会2004年学术大会
• 发表日期: 2004年期

本文采用金属有机汽相沉积外延GaN薄膜，制备了两种光敏元结构的p-i-n紫外探测器，利用伏安测试，响应光谱测试和瞬态响应研究了器件的光电特性。伏安测试表明在－5V的偏压下两种器件的暗电流在同一数量级，分别为4.09nA和1.27nA。零偏压峰值响应率在365nm处分别为0.02A/W和0.10A/W。探测器的半高宽响应时间分别是14.5ns和18.4ns。同时，制备了不均匀性为2.6％的64 元线列探测器，并实现了和Si读出电路的互连，其平均响应率和平均探测率分别为0.09A/W和3.4×109 cmHz1/2/W。