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本文主要研究了分子束外延(MBE)生长的应变In<,0.2>Ge<,0.8>As/GaAs折射率梯度变化,异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
【摘 要】
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本文主要研究了分子束外延(MBE)生长的应变InGeAs/GaAs折射率梯度变化,异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室(北京)
【出 处】
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第八届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2002年期
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