论文部分内容阅读
抓品牌建设、实现资产增值建能源体系、提高能源绩效
【机 构】
：
北京中化联合认证有限公司
【出 处】
：
2013中国钾盐与钾肥科学技术交流大会
【发表日期】
：
2013年11期
其他文献
为了解国产0.18微米混合信号集成电路抗辐射性能，本文针对集成电路用MOS晶体管，研究了其直流及1/f噪声在60Coγ电离辐射环境下的变化规律.实验过程中，对实验样品辐照前后直流特征曲线、1/f噪声功率谱进行了测试。研究结果表明：辐照前后阈值电压、栅极电流变化均很小：在总剂量辐照下，NMOS晶体管漏电流增大,1/f噪声功率增大，而PMOS晶体管漏电流及1/f噪声功率则基本没有变化。分析表明NMOS
本文主要介绍了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,TMBS)和超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR)的结构、机理和参数特性.这两种器件正向压降低,温度特性好,与传统肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,可在不牺牲温度特性的前提下,实现更低的正向压降
设计并制造了一种八固支梁结构的压阻式三轴加速度传感器.文中针对该结构的机械性能分析,建立了一个简化的数学模型,并采用有限元分析方法进行了仿真验证。给出了该加速度传感器的微加工工艺流程.测试结果显示x、Y、z三个方向的静态灵敏度分别为1.984mV/g、2.010mV/g、1.964mV/g；线性度分别为99.99％、99.99％、99.72％；轴间耦合因子≤2.53％。
在SiC离子注入高温激活退火中,采用碳膜作为保护层覆盖在晶片表面.碳膜通过AZ5214光刻胶在700、750、800℃Ar气氛围下退火形成,经过Raman测试结果表明,退火后光刻胶开始向纳米晶体石墨方向的转变,800℃退火的样品形成的碳膜厚度约为366nm,整体覆盖良好.经过Ar气氛围下1650℃20min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的样品注入区RMS分别为0.6nm和3.6nm.退火过程中
OLED等有机器件阴极材料通常涉及活泼的Al/Ag等,阴极长期暴露在大气中会被氧气氧化、与水反应生成绝缘物质,从而影响载流子的注入和电荷收集,影响器件效率与寿命;此外,OLED器件部分功能材料对水氧也特别敏感,从而加速器件老化,降低器件寿命.因此需要对OLED器件进行封装.有机/无机、有机/过渡层/有机交替结构的柔性薄膜封装是OLED器件封装的最佳选择.柔性薄膜封装有以下具体核心要求:(1)优秀的
功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试设备有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小电流源、小电压源、数字电压表等直流参数测试设备重要组成部分,编制功率半导体器件直流参数测量软件,在此基础上,研制成功CESI系列功率半导体器件直流参数测试设备。
电子束光刻系统具有很高的电子扫描成像精度,是实验室条件下进行纳米加工不可缺少的工具,在应用于微、纳米加工中需要解决几个关键技术问题:如电子束曝光邻近效应校正技术问题;电子束曝光系统与光学曝光系统的匹配和混合光刻的问题;常用电子抗蚀剂的工艺技术和电子束光刻的工艺技术问题.电子束光刻系统本身虽然可以具有极细的电子束斑(如2nm左右),但是,在电子束直写纳米量级结构图形时,尤其是直写亚20nm乃至亚10
本文主要就氮化硼带晶体作为为半导体材料和光电子材料这两方面进行了介绍。虽然cBN和hBN具有广阔的应用前景，但是要使前景变为现实，还有许多困难需要克服。最主要的困难是材料的制作和器件的欧姆接触问题。最近，人们己经采用MOCVD技术在直径2英寸的蓝宝石衬底上成功制备出结晶质量良好的hBN外延层，并实现了有效的P型掺杂，室温下电阻率仅为12 Ω·cm。相信在不久的将来，随着cBN和hBN的单晶和薄膜生