【摘 要】
：
功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试设备有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小电流源、小电压源、数字电压表等直流参数测试设备重要组成部分,编制功率半导体器件直流参数测量软件,在此基础上,研制成功CESI系列功率半导体器件直流参数测试设备。
【机 构】
：
中国电子技术标准化研究院计量与检测中心,北京 100176 北京无仪美达科技有限公司
【出 处】
：
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
论文部分内容阅读
功率半导体器件应用广泛,其直流参数测试设备有很大的需求.本文突破电容充放电产生脉冲大电流关键技术,成功开发了高压电压源、脉冲大电流源、可测试大电流的恒压源、小电流源、小电压源、数字电压表等直流参数测试设备重要组成部分,编制功率半导体器件直流参数测量软件,在此基础上,研制成功CESI系列功率半导体器件直流参数测试设备。
其他文献
本文采用KOH融溶液腐蚀了n型和P型的SiC外延层，对BPD在外延材料中的延伸和转化机理进行了研究分析。通过对n型和P型的SiC外延材料进行腐蚀，发现衬底中的BPD在n型SiC外延材料中得到延续，在P型SiC外延材料中得到抑制。
理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点.并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性.认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型
本文首先介绍了哈尔滨市供水现状，其次介绍了净水厂供水基本情况、变频设备运行情况等供水特点，然后介绍了自从高压、低压泵站各启动2台调速机组以后，市区管线修漏量下降50％，极大降低了管线的维护费用。同时水厂的用电量单耗由70kWh/dam3降低到68kWh/dam3，每年可节约电费50多万元，实现了企业经济效益和社会效益双丰收。
在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制作的氮化镓HEMT性能测试表明,该电容的制作工艺与标准氮化镓单片微波集成电路工艺完全兼容.
本文对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真.仿真结果显示:具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5V;采用栅极场板能缓解栅极边缘过于集中的电场,当场板长度为5μm时,器件击穿达到1100V;间断的栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到12
为了解国产0.18微米混合信号集成电路抗辐射性能，本文针对集成电路用MOS晶体管，研究了其直流及1/f噪声在60Coγ电离辐射环境下的变化规律.实验过程中，对实验样品辐照前后直流特征曲线、1/f噪声功率谱进行了测试。研究结果表明：辐照前后阈值电压、栅极电流变化均很小：在总剂量辐照下，NMOS晶体管漏电流增大,1/f噪声功率增大，而PMOS晶体管漏电流及1/f噪声功率则基本没有变化。分析表明NMOS
本文主要介绍了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,TMBS)和超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR)的结构、机理和参数特性.这两种器件正向压降低,温度特性好,与传统肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,可在不牺牲温度特性的前提下,实现更低的正向压降
设计并制造了一种八固支梁结构的压阻式三轴加速度传感器.文中针对该结构的机械性能分析,建立了一个简化的数学模型,并采用有限元分析方法进行了仿真验证。给出了该加速度传感器的微加工工艺流程.测试结果显示x、Y、z三个方向的静态灵敏度分别为1.984mV/g、2.010mV/g、1.964mV/g；线性度分别为99.99％、99.99％、99.72％；轴间耦合因子≤2.53％。
在SiC离子注入高温激活退火中,采用碳膜作为保护层覆盖在晶片表面.碳膜通过AZ5214光刻胶在700、750、800℃Ar气氛围下退火形成,经过Raman测试结果表明,退火后光刻胶开始向纳米晶体石墨方向的转变,800℃退火的样品形成的碳膜厚度约为366nm,整体覆盖良好.经过Ar气氛围下1650℃20min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的样品注入区RMS分别为0.6nm和3.6nm.退火过程中
OLED等有机器件阴极材料通常涉及活泼的Al/Ag等,阴极长期暴露在大气中会被氧气氧化、与水反应生成绝缘物质,从而影响载流子的注入和电荷收集,影响器件效率与寿命;此外,OLED器件部分功能材料对水氧也特别敏感,从而加速器件老化,降低器件寿命.因此需要对OLED器件进行封装.有机/无机、有机/过渡层/有机交替结构的柔性薄膜封装是OLED器件封装的最佳选择.柔性薄膜封装有以下具体核心要求:(1)优秀的