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InGaAs是直接带隙材料，具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面，良好材料稳定性，是一种理想短波红外探测器材料。本文主要是对探测范围0.9-1.7μm、256×1线列阵和探测范围1.8～2.4μm、128×1线列阵InGaAs/InP红外探测器材料与器件相关一些问题进行探讨研究。