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本文利用有限元法，对生长GaN材料所用的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备反应室内的基座和衬底的温度给出了优化。主要方法是在基座周围刻环形槽，通过对环形槽的不同位置、深度和宽度对应衬底温度分布平均值、极差和标准差的分析，得到使衬底温度分布较为均匀的槽的形状和位置；与传统的基座相比，在相同条件和保证加热需要的前提下，优化后的基座，衬底表面温度分布的均匀性得到很大改善，这有利于改善生长薄膜的质量。