【摘 要】
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本文采用磁控溅射和热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,通过控制生长基元在衬底上的掠角入射,利用影蔽效应,成功制备了定向生长的非晶和微晶硅纳米棒。系统分析了沉积气压、射频功
【机 构】
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中国科学院研究生院,北京 100049
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本文采用磁控溅射和热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,通过控制生长基元在衬底上的掠角入射,利用影蔽效应,成功制备了定向生长的非晶和微晶硅纳米棒。系统分析了沉积气压、射频功率、衬底转速和氢稀释度对纳米棒结构和形貌的影响。扫描电子显微镜(SEM)结果表明:对磁控溅射技术,增加沉积气压,使得硅纳米棒的直径减小,密度增加,而增加射频功率作用相反；采用氢稀释HWCVD技术,获得了垂直衬底表面生长的晶化硅纳米棒。
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