【摘 要】
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本文通过对一款600V超结IGBT的TCAD仿真探究了超结IGBT所具有的独特导通机制。超结IGBT的漂移区由交替排布的P型柱和N型柱构成。仿真结果显示：P、N型柱中的掺杂分布不通时
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文通过对一款600V超结IGBT的TCAD仿真探究了超结IGBT所具有的独特导通机制。超结IGBT的漂移区由交替排布的P型柱和N型柱构成。仿真结果显示：P、N型柱中的掺杂分布不通时,会对超结IGBT通态时候的电导调制效应产生影响。在较弱的电导调制下,通态电流主要是P、N型柱中自身的载流子流动所构成的。这时候,电子电流大多集中在N型柱中而空穴电流大多集中在P型柱中,表现出单极输运。而在较强的电导调制作用下,P、N型柱中都注入了大量的载流子,电子电流和空穴电流不再集中在P型柱以及N型柱中,表现出双极输运。本文同时也对不同的通态电压(Vce)以及不同的FS (field stop)层掺杂浓度进行了仿真,结果表明较高的Vce和较低的FS层掺杂浓度会导致较强的电导调制效应,从而使超结IGBT表现出单极输运。
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