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IGBT的进展、应用及其可靠性研究
IGBT的进展、应用及其可靠性研究
来源 :2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vbcjun
【摘 要】
:
@@绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种由MOSFET,和双极功率晶体管结合而成的达林顿结构。简述了IGBT在国内外的发展概况,在各个领域的应用,及其可靠性研究的情况。
【作 者】
:
余烁杰
杜倩倩
谢雪松
张小玲
吕长志
【机 构】
:
北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室100124
【出 处】
:
2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会
【发表日期】
:
2010年11期
【关键词】
:
绝缘栅双极晶体管
达林顿结构
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@@绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种由MOSFET,和双极功率晶体管结合而成的达林顿结构。简述了IGBT在国内外的发展概况,在各个领域的应用,及其可靠性研究的情况。
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