【摘 要】
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利用等离子辅助分子束外延(P-MBE),在c面蓝宝石上外延生长了Li-N共掺杂的p型氧化锌薄膜.在实验中,采用高纯金属锌和金属锂作为Zn源和Li源、NO作为O源和N源,通过射频等离
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林 长春 130033
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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利用等离子辅助分子束外延(P-MBE),在c面蓝宝石上外延生长了Li-N共掺杂的p型氧化锌薄膜.在实验中,采用高纯金属锌和金属锂作为Zn源和Li源、NO作为O源和N源,通过射频等离子体激活进行生长.获得了高重复性、稳定的Li-N共掺的p型ZnO薄膜,载流子浓度为2.45×1017cm-3,迁移率为1.63 cm2/(VS),电阻率为16.3 Ω·cm.拉曼光谱以及X射线光电子能谱测量表明Li-N共掺ZnO薄膜中的受主来源于Li替代Zn格位(LiZn)和N替代O格位(No),其中No与间隙Li组成施主受主复合体,起到了抑制Li间隙对LiZn的补偿作用.利用变温光致发光谱计算了Li-N共掺ZnO薄膜中受主能级为0.16eV,并归结为LiZn受主.
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