【摘 要】
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本文采用八带有效质量理论计算了InAs—GaSb超晶格的电子结构和光学跃迁性质.在计算中,我们考虑了两种材料的有效质量参数的差异.计算了不同InAs,GaSb宽度下的超晶格的带
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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本文采用八带有效质量理论计算了InAs—GaSb超晶格的电子结构和光学跃迁性质.在计算中,我们考虑了两种材料的有效质量参数的差异.计算了不同InAs,GaSb宽度下的超晶格的带隙,发现带隙非常依赖于价带偏移(valence band offset),而价带偏移又依赖于界面类型和InAs,GaSb的宽度.当至少一种材料很薄时,价带偏移会大于推荐值(对于InSb界面为0.575eV).精确计算了有限温下InAs—GaSb超晶格的跃迁速率、介电常数和吸收系数,结果与实验符合的很好,给出了介电常数和吸收系数曲线中出现尖锐的峰的物理原因.这种方法可以用来设计红外和远红外探测器.
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