沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性

来源 :北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caj978879947

【摘要】

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本文利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm.通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面

【作者】

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谭伟石蔡宏灵刘金生吴小山蒋树声贾全杰

【机构】

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南京理工大学理学院应用物理系,南京,210094;南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理系,南京,210093南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学物理系,南京,210093中国科

【出处】

：

北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会

【发表日期】

：

2005年7期

【关键词】

：

薄膜掠入射X射线衍射应变弛豫磁电阻特性单晶基片

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本文利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm.通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数,结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况,用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明,LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长,在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫,当薄膜厚度为100nm以上时,薄膜的微应变接近于完全弛豫,并表现出与块体材料类似的磁电阻特性,具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.

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