周期性多层膜合金化制取的Ni-Ti形状记忆薄膜的相深度分布

• 作 者: 魏向军 徐清 贾全杰 王焕华
• 机 构: 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;中国科学院高能物理研究所,北京,100049中国科学院高能物理研究所,北京,100049
• 出 处: 北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会
• 发表日期: 2005年7期
• 关键词: 相深度分布 形状记忆合金 多层膜 掠入射X射线衍射 磁控溅射

本文用掠入射X射线衍射对磁控溅射制取的等原子比Ni/Ti周期性多层膜晶化热处理后的相深度分布进行了分析.Ni-Ti形状记忆薄膜在深度方向的相分布是不均匀的,表现为靠近外表面是Ti3Ni4沉淀相、马氏体相和少量奥氏体相的三相混合区,靠近基体是单一的马氏体相区,薄膜和基体发生了界面扩散与反应.周期厚度对薄膜的相深度分布有一定影响.