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本文利用特殊的单个晶界的键合样品，结合少子寿命的测试及相关理论研究了硅中最常见金属杂质铁对晶界复合活性的影响。研究发现，铁沾污会引起晶界复合活性的提高，不同状态的Fe杂质引起的晶界复合活性的升高程度不同。对于间隙态Fe杂质，沾污温度越高，也即Fe杂质浓度越高，晶界复合活性的提高幅度越大。经过适当的热处理，使得间隙态铁转变为沉淀态后，晶界复合活性都得到一定程度的下降，说明间隙态的Fe原子对晶界复合活性的影响要大于沉淀态的铁杂质。H钝化以后，由间隙态Fe原子引起的复合活性可以得到大幅度的降低，而沉淀态的Fe引起的复合活性升高本省相对较小，因而H钝化效果也不明显。