ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展

• 作 者: 何进[1]张立宁[2]黄宇聪[3]吴佳珍[3]徐姣姣[3]周致赜[3]林信南[3]
• 机 构: 北京大学信息科学技术学院,纳太器件和电路研究室,北京 100871 北京大学深圳研究生院,微纳电子器件和集成技术研究中心,广东深圳 518055
• 出 处: 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
• 发表日期: 2009年期

本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模型建立；SMIC的90纳米工艺数据模型验证和模型的多层次实现。最后，展望了ULTRA-B的进一步研究和发展方向，希望ULTRA-B最终可以为国内SOC电路的发展和设计提供支持和服务。