【摘 要】
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本文采用硫化铵化学处理的方法对InN表面高密度的累积层进行调控。由霍尔测试结果表明,硫化处理后,InN薄层电导发生改变,并结合层状模型,提取表层和体层的电子输运特性,
【机 构】
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State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文采用硫化铵化学处理的方法对InN表面高密度的累积层进行调控。由霍尔测试结果表明,硫化处理后,InN薄层电导发生改变,并结合层状模型,提取表层和体层的电子输运特性,发现不同极性的InN表面电荷累积层的载流子浓度均有所降低而体层几乎不变,且N极性表面比In极性表面下降的程度更大。XPS表明,由于不同极性的InN表面施主态的分布不同,因此表面费米能级钉扎的位置不同,硫化处理过程中,S可以对InN表面高密度的施主态进行钝化,并且N极性表面较In极性表面更容易被钝化,与霍尔测试结果相一致。
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