【摘 要】
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笔者已经生长出质量极高的长波二类超晶格红外探测材料,并研制成功具有不同界面类型的长波红外探测器及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明具有InSb界面类型的p-
【机 构】
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Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,Beijing,100083, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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笔者已经生长出质量极高的长波二类超晶格红外探测材料,并研制成功具有不同界面类型的长波红外探测器及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明具有InSb界面类型的p-i-n型器件结构的卫星峰半宽为24弧秒,而混合界面的仅为17弧秒。InSb型界面长波器件在77K温度下的50％截止波长为9.6微米,峰值响应率为3.2A／W。还研制成功通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波／甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器器件,77K温度下,此器件50％截止波长分别为10和16微米,两个响应带的光学串扰只有约10％。
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